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Memória G.Skill Aegis DDR4 8GB 2666MHz

Memória G.Skill Aegis DDR4 8GB 2666MHz

G.skill
429-F4-2666C19S-8GIS
Esgotado
17,56 €
Com IVA
Módulo de memória RAM DDR4 G.Skill Aegis com 8GB de capacidade e frequência de 2666MHz. Ideal para melhorar o desempenho do seu computador. Tem uma latência CAS de CL19 e opera a 1.2V. Compatível com PCs e servidores.

• 8GB DDR4
• 2666MHz
• CL19
• 1.2V
• Compatível com PC/Servidor

 
Este módulo de memória RAM G.Skill Aegis DDR4 oferece uma solução fiável e eficiente para aumentar a capacidade e o desempenho do seu computador. Com 8GB de capacidade e uma frequência de 2666MHz, este módulo garante uma execução suave de aplicações e multitarefas. O tempo de latência CAS de CL19 assegura uma resposta rápida e eficiente do sistema. O módulo opera a uma tensão de 1.2V, otimizando o consumo de energia. O formato DIMM de 288 pinos assegura a compatibilidade com uma vasta gama de placas-mãe. Ideal tanto para computadores pessoais como servidores, este módulo oferece uma solução de memória confiável e com um ótimo custo-benefício. O módulo não tem ECC.

Especificações Gerais:
• Tipo de artigo: Gaming
• Marca: G.SKILL
• Garantia: 2 anos
• Número de peça: F4-2666C19S-8GIS
• EAN: 4719692019974
• Peso volumétrico: 0.03 kg

Especificações de Memória:
• Tipo de memória interna: DDR4
• Memória interna: 8 GB
• Forma de fator de memória: 288-pin DIMM
• Frequência: 2666 MHz
• Layout da memória (módulos x tamanho): 1 x 8 GB
• Latência CAS: CL19
• Componente para: PC/servidor
• ECC: Não
• Tipo de memória: PC4-21300

Controlo de energia:
• Tensão da memória: 1.2 V
General:
 
Marca
G.Skill
Tipo del artículo
Gaming
Voltaje de memoria
1.2 V
Part Number
F4-2666C19S-8GIS
Tipo de memoria interna
DDR4
Categorías
MEMORIAS RAM
Reacondicionado
No
Forma de factor de memoria
288-pin DIMM
Componente para
PC/server
Tipo de memória
PC4-21300
Reposición - Etiqueta
No
Peso Volumetrico
0.03 Kg.
Latencia CAS
CL19
Memoria interna
8 GB
ECC
NO
Frecuencia
2666 MHz
Memory layout (modules x size)
1 x 8 GB
Garantia
2
Control de energía:
 
Memoria:
 
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