Transistor Siemens BF870: RF PNP, 250V, 100mA, TO-202

O transistor Siemens BF870 é um transistor de efeito de campo (RF) PNP de silício, projetado para aplicações de alta frequência. Com uma tensão máxima de coletor-emissor (Vceo) de 250V e uma corrente contínua máxima do coletor (Ic) de 100mA, este transistor é ideal para amplificadores de radiofrequência (RF) que exigem alta tensão e corrente em frequências mais elevadas.

Este transistor é capaz de dissipar até 1,6W de potência, permitindo que opere eficientemente em condições de alta potência. O seu ganho de corrente (HFE) de 50 contribui para a amplificação eficiente de sinais de RF, enquanto a sua frequência de transição de 60MHz indica a sua capacidade de operar em frequências mais elevadas. A sua polaridade PNP define a direção do fluxo de corrente.

Para garantir a sua integração e utilização adequadas, este transistor utiliza o encapsulamento TO-202, um padrão comum em eletrónica de potência. Este encapsulamento garante robustez e facilidade de soldadura em placas de circuito impresso. A sua utilização é indicada em aplicações que exigem robustez e segurança, com alta estabilidade de operação.

O transistor BF870 é fornecido em embalagens 'bulk', com 50 unidades por embalagem, tornando-o uma opção conveniente para projetos em larga escala. Como em todos os componentes eletrônicos, a consulta do datasheet do fabricante é fundamental para uma integração correta e um desempenho ideal.