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Transistor RF PNP Toshiba BF423, ideal para aplicações de comutação, amplificadores e televisão. Oferece alta potência e tensão.
* Vceo: 250V
* Ic: 500mA
* Potência: 800mW
* Caixa: TO-226
* Ganho HFE: 50
* Vceo: 250V
* Ic: 500mA
* Potência: 800mW
* Caixa: TO-226
* Ganho HFE: 50
O transistor Toshiba BF423 é um componente de silício PNP, projetado para aplicações em comutação, amplificadores e televisão. A sua construção robusta e características elétricas de alta performance tornam-no uma escolha ideal para uma vasta gama de circuitos eletrónicos.
Com uma tensão máxima de coletor-emissor (Vceo) de 250V e uma corrente máxima de coletor (Ic) de 500mA, o BF423 oferece uma capacidade significativa de manuseamento de potência, atingindo os 800mW. Estas características permitem que o transistor seja usado em aplicações que exigem alta potência e capacidade de comutação.
Além da sua alta capacidade de potência, o transistor BF423 destaca-se pela sua resposta em frequência, com uma frequência de transição (ft) de 60MHz. Este valor assegura um desempenho eficiente em aplicações de alta frequência, como circuitos de comutação rápida e amplificadores de sinal RF.
Para facilitar a integração em diferentes projetos, o transistor Toshiba BF423 apresenta uma caixa TO-226, um formato padrão que garante compatibilidade com uma ampla variedade de placas de circuito impresso e métodos de montagem.
Para aplicações em circuitos que necessitam de um ganho de corrente específico, o BF423 apresenta um ganho estático (HFE) de 50. Este ganho garante amplificação de sinal estável e previsível, contribuindo para o desempenho global do circuito.
Em resumo, o transistor BF423 da Toshiba é uma solução confiável e de alta performance para diversas aplicações eletrônicas, que requerem alta potência, alta frequência e um design compacto. A sua combinação de características elétricas superiores e um formato de caixa padrão faz dele um componente versátil e eficiente para designers de eletrónica.
Com uma tensão máxima de coletor-emissor (Vceo) de 250V e uma corrente máxima de coletor (Ic) de 500mA, o BF423 oferece uma capacidade significativa de manuseamento de potência, atingindo os 800mW. Estas características permitem que o transistor seja usado em aplicações que exigem alta potência e capacidade de comutação.
Além da sua alta capacidade de potência, o transistor BF423 destaca-se pela sua resposta em frequência, com uma frequência de transição (ft) de 60MHz. Este valor assegura um desempenho eficiente em aplicações de alta frequência, como circuitos de comutação rápida e amplificadores de sinal RF.
Para facilitar a integração em diferentes projetos, o transistor Toshiba BF423 apresenta uma caixa TO-226, um formato padrão que garante compatibilidade com uma ampla variedade de placas de circuito impresso e métodos de montagem.
Para aplicações em circuitos que necessitam de um ganho de corrente específico, o BF423 apresenta um ganho estático (HFE) de 50. Este ganho garante amplificação de sinal estável e previsível, contribuindo para o desempenho global do circuito.
Em resumo, o transistor BF423 da Toshiba é uma solução confiável e de alta performance para diversas aplicações eletrônicas, que requerem alta potência, alta frequência e um design compacto. A sua combinação de características elétricas superiores e um formato de caixa padrão faz dele um componente versátil e eficiente para designers de eletrónica.
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