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Transistor NPN de silício Toshiba BC338/16. Tensão Vceo de 25V e corrente Ic de 800mA. Potência de 600mW. Ideal para amplificadores e comutação. Caixa TO-92.
* Transistor NPN de silício
* Vceo: 25V
* Ic: 800mA
* Potência: 600mW
* Caixa TO-92
* Transistor NPN de silício
* Vceo: 25V
* Ic: 800mA
* Potência: 600mW
* Caixa TO-92
O transistor BC338/16 da Toshiba é um transistor bipolar de junção (BJT) de silício tipo NPN, projetado para aplicações de amplificadores e comutação. Com uma tensão máxima de coletor-emissor (Vceo) de 25V e uma corrente máxima de coletor (Ic) de 800mA, este transistor é adequado para uma ampla variedade de circuitos. A sua potência máxima é de 600mW, e o ganho de corrente (HFE) é tipicamente de 100. O transistor opera numa frequência máxima de 100MHz.
A sua pequena caixa TO-92 facilita a integração em circuitos compactos, e a sua confiabilidade e desempenho consistente fazem deste transistor uma escolha ideal para aplicações críticas. A sua popularidade reside na sua versatilidade, adequada tanto para projetos eletrónicos simples como para sistemas mais complexos. Este componente é fornecido em embalagem 'Bulk', com 500 peças por embalagem. Para projetos de maior escala ou informações adicionais, contacte-nos diretamente.
A sua pequena caixa TO-92 facilita a integração em circuitos compactos, e a sua confiabilidade e desempenho consistente fazem deste transistor uma escolha ideal para aplicações críticas. A sua popularidade reside na sua versatilidade, adequada tanto para projetos eletrónicos simples como para sistemas mais complexos. Este componente é fornecido em embalagem 'Bulk', com 500 peças por embalagem. Para projetos de maior escala ou informações adicionais, contacte-nos diretamente.
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