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Transistor de silício NPN Toshiba 2SD523, ideal para amplificadores de baixa frequência. Oferece alta potência e desempenho confiável.
* Tipo: NPN
* Vceo: 60V
* Ic: 7A
* Potência: 50W
* Caixa: TO-3
* Tipo: NPN
* Vceo: 60V
* Ic: 7A
* Potência: 50W
* Caixa: TO-3
O transistor de silício NPN Toshiba 2SD523 é uma solução de alta potência para aplicações em amplificadores de baixa frequência. Com uma tensão máxima de coletor-emissor (Vceo) de 60V e uma corrente de coletor (Ic) de 7A, este transistor é capaz de lidar com cargas significativas. A sua potência nominal de 50W permite o seu uso em aplicações que exigem alta capacidade de dissipação de calor. A construção em caixa TO-3 garante uma eficiente dissipação de calor, contribuindo para a sua fiabilidade e longevidade. O ganho de corrente (HFE) de 1000 indica uma boa amplificação de sinal. A frequência máxima de transição (7.0MHz) torna-o adequado para aplicações de sinal de baixa e média frequência. A embalagem em bulk torna este transistor uma opção prática e económica para projetos em larga escala. A sua robustez e desempenho consistente fazem do Toshiba 2SD523 uma escolha sólida para engenheiros e técnicos que buscam um componente de alta performance e confiabilidade.
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