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Transistor NPN de silício Toshiba 2SC983R, com tensão máxima de coletor-emissor (Vceo) de 150V e corrente contínua de coletor (Ic) de 50mA. Potência de 600mW e encapsulamento SPAK.
* Tipo: NPN
* Vceo: 150V
* Ic: 50mA
* Potência: 600mW
* Encapsulamento: SPAK
* Tipo: NPN
* Vceo: 150V
* Ic: 50mA
* Potência: 600mW
* Encapsulamento: SPAK
Este transistor NPN de silício Toshiba 2SC983R é um componente electrónico robusto e versátil, ideal para uma ampla gama de aplicações. Com uma tensão máxima de coletor-emissor (Vceo) de 150V e uma corrente contínua de coletor (Ic) de 50mA, este transistor oferece um desempenho confiável em circuitos com cargas elevadas. A sua potência nominal de 600mW garante uma operação estável, mesmo sob condições de stress. O encapsulamento SPAK simplifica a montagem em circuitos impressos e outros projetos electrónicos. Este transistor é frequentemente utilizado em drivers e amplificadores de saída de vídeo, demonstrando a sua capacidade para lidar com sinais de alta frequência. As suas características técnicas tornam este transistor uma solução eficiente e confiável para diversas necessidades de design electrónico.
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