Transistor Toshiba 2SC930, RF NPN, 10V, 30mA

O transistor Toshiba 2SC930 é um transistor de silício NPN de alta frequência, projetado para aplicações de rádio frequência (RF) que requerem baixo ruído e baixo consumo de energia. A sua construção de alta qualidade e características de desempenho excepcionais tornam-no ideal para uma variedade de aplicações em sistemas eletrónicos.

Com uma tensão máxima de coletor-emissor (VCEO) de 10V e uma corrente de coletor máxima (IC) de 30mA, este transistor é capaz de lidar com níveis de sinal consideráveis sem comprometer a sua fiabilidade. A sua potência de 120mW permite uma utilização eficiente em circuitos de baixa potência, enquanto a sua alta frequência de funcionamento (300MHz) o torna adequado para aplicações de alta velocidade.

As suas características de baixo ruído fazem do 2SC930 uma escolha excelente para amplificadores de RF de baixo ruído e outros circuitos que exigem um sinal limpo e sem distorção. O ganho de corrente (HFE) de 80 proporciona um bom nível de amplificação, enquanto a sua caixa TO-106 garante fácil integração em vários tipos de circuitos.

A embalagem 'Bulk' fornece uma grande quantidade de transistores numa única embalagem, ideal para projetos de produção em massa ou para um uso em vários projetos de eletrónica. Este transistor representa uma escolha valiosa para projetistas eletrónicos que buscam alta performance, confiabilidade e um excelente valor para o dinheiro. As suas características de desempenho combinadas com a sua construção robusta garantem uma longa vida útil e um desempenho estável ao longo do tempo.