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Transistor RF NPN Toshiba 2SC900, ideal para amplificadores de baixa frequência e baixo ruído. Oferece uma tensão Vceo de 35V e uma corrente Ic de 100mA. Potência de 250mW e caixa TO-92.
* Tipo: Transistor RF NPN
* Tensão Vceo: 35V
* Corrente Ic: 100mA
* Potência: 250mW
* Caixa: TO-92
* Tipo: Transistor RF NPN
* Tensão Vceo: 35V
* Corrente Ic: 100mA
* Potência: 250mW
* Caixa: TO-92
Este transistor RF NPN de silício Toshiba, modelo 2SC900, é uma excelente opção para aplicações que exigem amplificadores de baixa frequência e baixo ruído. Com uma tensão máxima de coletor-emissor (Vceo) de 35V e uma corrente de coletor (Ic) de 100mA, este componente oferece um desempenho fiável e eficiente. A sua potência nominal é de 250mW e vem numa caixa TO-92, facilitando a sua integração em diversos circuitos. O ganho de corrente (HFE) é de 500, garantindo uma amplificação consistente do sinal. A sua frequência de operação atinge os 100MHz, adequado para uma vasta gama de aplicações de RF. Este transistor é fornecido em embalagens a granel (bulk), com 50 unidades por embalagem.
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