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O transistor RF Toshiba 2SC815 é um componente NPN de silício com Vceo de 45V e Ic de 200mA. Ideal para amplificadores de alta frequência e osciladores, este transistor de 250mW é fornecido em caixa TO-92.
O transistor RF Toshiba 2SC815 é um transistor de silício NPN de alta frequência, projetado para aplicações que exigem alta performance e confiabilidade em circuitos de RF. Com uma tensão de coletor-emissor (Vceo) de 45V e uma corrente de coletor (Ic) de 200mA, este transistor é capaz de lidar com sinais de alta frequência e potência moderada, tornando-o ideal para uma variedade de aplicações.
A sua aplicação principal reside em amplificadores de alta frequência e osciladores, onde a capacidade de amplificar sinais de alta frequência com baixa distorção é crítica. A sua capacidade de lidar com uma potência de 250mW permite o seu uso em circuitos de potência moderada, sem comprometer o desempenho ou a confiabilidade. O ganho (HFE) do 2SC815 é de 80, o que indica a sua capacidade de amplificar sinais de forma eficiente.
A frequência máxima de operação (fT) de 200MHz demonstra a sua capacidade de lidar com sinais de alta frequência, essenciais em muitas aplicações de RF. A sua configuração NPN (Negative-Positive-Negative) indica a polaridade do transistor, que é crucial para a sua correta utilização em circuitos. O transistor é fornecido numa caixa TO-92, um formato padrão que facilita a sua integração em diversas placas de circuito impresso, devido ao seu design compacto e fácil de soldar.
A embalagem é tipo Bulk, o que significa que os transistores são fornecidos a granel, e cada embalagem contém 50 unidades. Este tipo de embalagem é normalmente usado para encomendas grandes ou para uso em produção em massa. A sua utilização em circuitos de alta frequência e osciladores o torna uma escolha versátil para diversas aplicações eletrônicas onde a sua especificação é necessária.
Em suma, o transistor RF Toshiba 2SC815 é uma solução eficiente e confiável para aplicações de RF, combinando alta performance com um design compacto e fácil de integrar, ideal para profissionais e entusiastas da eletrônica.
A sua aplicação principal reside em amplificadores de alta frequência e osciladores, onde a capacidade de amplificar sinais de alta frequência com baixa distorção é crítica. A sua capacidade de lidar com uma potência de 250mW permite o seu uso em circuitos de potência moderada, sem comprometer o desempenho ou a confiabilidade. O ganho (HFE) do 2SC815 é de 80, o que indica a sua capacidade de amplificar sinais de forma eficiente.
A frequência máxima de operação (fT) de 200MHz demonstra a sua capacidade de lidar com sinais de alta frequência, essenciais em muitas aplicações de RF. A sua configuração NPN (Negative-Positive-Negative) indica a polaridade do transistor, que é crucial para a sua correta utilização em circuitos. O transistor é fornecido numa caixa TO-92, um formato padrão que facilita a sua integração em diversas placas de circuito impresso, devido ao seu design compacto e fácil de soldar.
A embalagem é tipo Bulk, o que significa que os transistores são fornecidos a granel, e cada embalagem contém 50 unidades. Este tipo de embalagem é normalmente usado para encomendas grandes ou para uso em produção em massa. A sua utilização em circuitos de alta frequência e osciladores o torna uma escolha versátil para diversas aplicações eletrônicas onde a sua especificação é necessária.
Em suma, o transistor RF Toshiba 2SC815 é uma solução eficiente e confiável para aplicações de RF, combinando alta performance com um design compacto e fácil de integrar, ideal para profissionais e entusiastas da eletrônica.
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