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Transistor RF NPN Toshiba 2SC381-O, ideal para aplicações de pequeno sinal. Com uma tensão Vceo de 4V e uma corrente Ic de 20mA, este transistor de silício é robusto e confiável. Sua frequência de 250MHz e potência de 100mW o tornam versátil para projetos eletrônicos.
* Tipo: NPN
* Vceo: 4V
* Ic: 20mA
* Potência: 100mW
* Caixa: TO-92
* Tipo: NPN
* Vceo: 4V
* Ic: 20mA
* Potência: 100mW
* Caixa: TO-92
O Transistor RF NPN Toshiba 2SC381-O é um componente eletrônico de silício projetado para aplicações de pequeno sinal em alta frequência. Sua construção robusta e confiável garante um desempenho estável em uma variedade de circuitos eletrônicos. Este transistor é uma escolha ideal para aplicações que exigem precisão e resposta rápida, como sistemas de comunicação e circuitos de RF.
Com uma tensão máxima de coletor-emissor (Vceo) de 4V e uma corrente máxima de coletor (Ic) de 20mA, este transistor é adequado para circuitos que operam em níveis de corrente relativamente baixos. Sua frequência máxima de transição (fT) de 250MHz permite que opere eficazmente em altas frequências, o que é fundamental para aplicações de RF. A potência máxima de dissipação (Pd) de 100mW indica a capacidade do transistor de lidar com o calor gerado durante a operação, garantindo a estabilidade e a vida útil do componente.
A sua natureza NPN (Negative-Positive-Negative) define a polaridade do transistor, indicando a direção do fluxo de corrente. A caixa TO-92 é um padrão da indústria, que proporciona uma montagem conveniente em diferentes placas de circuito impresso. O ganho HFE (corrente de coletor/corrente de base) de 25 indica o nível de amplificação que o transistor pode proporcionar.
Para aplicações específicas, a escolha deste transistor deve considerar fatores como a frequência de operação, o nível de corrente e as condições de tensão, bem como o ganho de corrente necessário. Este transistor é fornecido em embalagem bulk, para facilitar o armazenamento e a utilização em grandes quantidades. Para informações detalhadas sobre sua aplicação, consulte a documentação técnica do fabricante.
Com uma tensão máxima de coletor-emissor (Vceo) de 4V e uma corrente máxima de coletor (Ic) de 20mA, este transistor é adequado para circuitos que operam em níveis de corrente relativamente baixos. Sua frequência máxima de transição (fT) de 250MHz permite que opere eficazmente em altas frequências, o que é fundamental para aplicações de RF. A potência máxima de dissipação (Pd) de 100mW indica a capacidade do transistor de lidar com o calor gerado durante a operação, garantindo a estabilidade e a vida útil do componente.
A sua natureza NPN (Negative-Positive-Negative) define a polaridade do transistor, indicando a direção do fluxo de corrente. A caixa TO-92 é um padrão da indústria, que proporciona uma montagem conveniente em diferentes placas de circuito impresso. O ganho HFE (corrente de coletor/corrente de base) de 25 indica o nível de amplificação que o transistor pode proporcionar.
Para aplicações específicas, a escolha deste transistor deve considerar fatores como a frequência de operação, o nível de corrente e as condições de tensão, bem como o ganho de corrente necessário. Este transistor é fornecido em embalagem bulk, para facilitar o armazenamento e a utilização em grandes quantidades. Para informações detalhadas sobre sua aplicação, consulte a documentação técnica do fabricante.
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