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Transistor RF NPN de silício Toshiba, modelo 2SC380A-O. Oferece Vceo de 4V, Ic de 50mA e potência de 300mW. Encapsulado em TO-92.
* Tipo: NPN
* Vceo: 4V
* Ic: 50mA
* Potência: 300mW
* Caixa: TO-92
* Tipo: NPN
* Vceo: 4V
* Ic: 50mA
* Potência: 300mW
* Caixa: TO-92
Este transistor de silício NPN, modelo 2SC380A-O da Toshiba, é um componente ideal para circuitos de pequeno sinal em aplicações de radiofrequência (RF). Sua construção robusta e características elétricas otimizadas garantem um desempenho estável e eficiente. O transistor apresenta uma tensão de ruptura coletor-emissor (Vceo) de 4V, uma corrente de coletor (Ic) de 50mA e uma potência máxima de dissipação de 300mW, o que o torna adequado para uma variedade de aplicações. O ganho de corrente (HFE) é de aproximadamente 40, e a frequência de transição é de 250MHz. A encapsulação em TO-92 é padrão de indústria, facilitando a sua integração em diferentes projetos. Sua aplicação em circuitos de pequeno sinal garante uma operação eficiente e precisa. O transistor é fornecido em embalagens a granel (Bulk), com 50 unidades por embalagem.
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