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Transistor de silício PNP Toshiba 2SA708. Ideal para comutação de média velocidade. Características: Vceo 60V, Ic 700mA, Potência 800mW, Caixa TO-39.
* Transistor PNP de Silício
* Vceo: 60V
* Ic: 700mA
* Potência: 800mW
* Caixa TO-39
* Transistor PNP de Silício
* Vceo: 60V
* Ic: 700mA
* Potência: 800mW
* Caixa TO-39
O transistor Toshiba 2SA708 é um transistor de silício PNP de alta performance, ideal para aplicações de comutação de média velocidade. Com uma tensão Vceo de 60V e uma corrente Ic de 700mA, este transistor é capaz de lidar com cargas significativas. Sua potência máxima é de 800mW, e vem em uma caixa TO-39 para fácil integração em projetos eletrónicos.
Suas características principais incluem:
* **Tensão VCE (Vceo):** 60V
* **Tensão VCB:** 80V
* **Corrente de coletor (Ic):** 700mA
* **Potência:** 800mW
* **Ganho de corrente (HFE):** 80
* **Frequência de transição:** 100MHz
* **Caixa:** TO-39
* **Tipo de embalagem:** Bulk
* **Quantidade por embalagem:** 100 Pcs
Este transistor é uma escolha versátil para uma variedade de projetos eletrónicos, incluindo circuitos de comutação, amplificadores e outros dispositivos que requerem um transistor PNP robusto e eficiente. A embalagem inclui 100 unidades. Para maiores quantidades, por favor contacte-nos.
Suas características principais incluem:
* **Tensão VCE (Vceo):** 60V
* **Tensão VCB:** 80V
* **Corrente de coletor (Ic):** 700mA
* **Potência:** 800mW
* **Ganho de corrente (HFE):** 80
* **Frequência de transição:** 100MHz
* **Caixa:** TO-39
* **Tipo de embalagem:** Bulk
* **Quantidade por embalagem:** 100 Pcs
Este transistor é uma escolha versátil para uma variedade de projetos eletrónicos, incluindo circuitos de comutação, amplificadores e outros dispositivos que requerem um transistor PNP robusto e eficiente. A embalagem inclui 100 unidades. Para maiores quantidades, por favor contacte-nos.
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