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Memória SRAM CMOS Toshiba TC5516AP, com 2048 palavras x 8 bits e tempo de acesso de 250ns. Em caixa DIP24. Embalagem com 10 unidades.
A memória SRAM CMOS Toshiba TC5516AP é um circuito integrado estático de acesso aleatório (SRAM) de alta performance. Este componente oferece uma capacidade de armazenamento de 2048 palavras x 8 bits, com um tempo de acesso rápido de 250ns, ideal para aplicações que requerem acesso rápido a dados. O circuito integrado opera com uma tensão de alimentação de 5V e apresenta-se numa prática caixa DIP24, facilitando a sua integração em diversas placas de circuito impresso. A embalagem contém 10 unidades, tornando-a uma opção prática para projetos de desenvolvimento ou produção em pequena escala. A sua construção CMOS garante baixo consumo de energia, contribuindo para a eficiência energética do seu projeto.
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