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Memória RAM NMOS Toshiba TMM314AP-1, com 1024x4bit e tempo de acesso de 200ns. Ideal para aplicações que requerem alta velocidade e fiabilidade.
* Família: SRAM
* Caixa: DIP 18
* Tipo de Embalagem: Baguete
* Quantidade por Embalagem: 20 Pcs
* Temperatura de Operação: 0º a 70ºC
* Família: SRAM
* Caixa: DIP 18
* Tipo de Embalagem: Baguete
* Quantidade por Embalagem: 20 Pcs
* Temperatura de Operação: 0º a 70ºC
Esta memória RAM NMOS Toshiba TMM314AP-1 oferece um desempenho excepcional para aplicações que necessitam de alta velocidade e fiabilidade. Com uma arquitetura de 1024x4bit e um tempo de acesso de 200ns, esta memória garante um acesso rápido e eficiente aos dados. A sua construção robusta e a utilização de tecnologia NMOS asseguram uma operação estável e duradoura. A memória apresenta uma caixa DIP 18, facilitando a sua integração em diversos projetos eletrónicos. A embalagem em baguete protege as unidades durante o transporte e armazenamento. Cada embalagem contém 20 unidades, ideal para projetos em larga escala. A memória opera numa gama de temperatura entre 0°C e 70°C, garantindo um funcionamento estável em diversas condições ambientais. A memória RAM Toshiba TMM314AP-1 é uma escolha ideal para aplicações que exigem alta performance e confiabilidade, oferecendo uma solução eficiente e duradoura para as suas necessidades.
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