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Transistor de silício NPN NEC 2SC1098, ideal para amplificadores de potência. Oferece alta tensão e corrente, com uma potência de 10W e caixa TO-202.
* NPN
* Vceo 45V
* Ic 1A
* Potência 10W
* Caixa TO-202
* NPN
* Vceo 45V
* Ic 1A
* Potência 10W
* Caixa TO-202
Este transistor de silício NPN da NEC, modelo 2SC1098, é uma solução robusta e eficiente para aplicações de amplificadores de potência. Sua construção em silício garante uma alta confiabilidade e desempenho estável em diversas condições operacionais. Com uma tensão máxima de coletor-emissor (Vceo) de 45V e uma corrente de coletor máxima (Ic) de 1A, é capaz de lidar com cargas significativas, produzindo uma potência de saída de 10W.
A sua configuração NPN e o ganho de corrente (HFE) de 40 permitem uma amplificação eficiente do sinal. A sua frequência de transição de 50MHz garante um bom desempenho em aplicações que exigem respostas rápidas. O transistor vem numa caixa TO-202, uma caixa robusta e popular para dispositivos de potência, facilitando a sua integração em diferentes circuitos. Este formato é fácil de soldar e adaptar a vários projetos.
A embalagem contém 100 unidades, tornando-o ideal para projetos em larga escala ou para profissionais que necessitam de uma quantidade significativa para seus trabalhos. A utilização deste transistor garante um desempenho confiável e eficiente em aplicações de alta potência, devido às suas características de alta tensão e corrente.
A sua configuração NPN e o ganho de corrente (HFE) de 40 permitem uma amplificação eficiente do sinal. A sua frequência de transição de 50MHz garante um bom desempenho em aplicações que exigem respostas rápidas. O transistor vem numa caixa TO-202, uma caixa robusta e popular para dispositivos de potência, facilitando a sua integração em diferentes circuitos. Este formato é fácil de soldar e adaptar a vários projetos.
A embalagem contém 100 unidades, tornando-o ideal para projetos em larga escala ou para profissionais que necessitam de uma quantidade significativa para seus trabalhos. A utilização deste transistor garante um desempenho confiável e eficiente em aplicações de alta potência, devido às suas características de alta tensão e corrente.
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