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MOSFET de silício Fairchild 2SJ50, com alta potência e resistência. Ideal para aplicações que exigem alta performance. Oferece uma tensão Vceo de 160V, corrente Ic de 7A e potência de 100W.
* MOSFET de silício
* Tensão Vceo: 160V
* Corrente Ic: 7A
* Potência: 100W
* Caixa TO-3
* MOSFET de silício
* Tensão Vceo: 160V
* Corrente Ic: 7A
* Potência: 100W
* Caixa TO-3
O MOSFET Fairchild 2SJ50 é um componente de alta potência, projetado para aplicações que exigem performance robusta e confiabilidade. Este MOSFET de silício apresenta uma tensão de ruptura colector-emissor (Vceo) de 160V, permitindo o seu uso em circuitos com altas tensões. A sua corrente contínua de colector (Ic) de 7A e potência de 100W indicam a sua capacidade de lidar com cargas significativas. A caixa TO-3 garante uma dissipação eficiente de calor, essencial para o funcionamento adequado do componente em altas potências. Este componente é ideal para uma variedade de aplicações, desde sistemas de controlo de potência até circuitos de comutação de alta frequência. Para obter informações mais detalhadas sobre as especificações e aplicações, recomendamos consultar a documentação técnica do fabricante.
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