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O Transistor Philips BLY569 é um transistor RF NPN de silício, potente e versátil, ideal para diversas aplicações de alta frequência. Oferece alta corrente e tensão, em uma caixa compacta TO-92.
* Transistor RF em silício NPN
* Vceo 35V, Ic 3A
* Potência 70W
* Caixa TO-92
* Alta Fiabilidade
* Transistor RF em silício NPN
* Vceo 35V, Ic 3A
* Potência 70W
* Caixa TO-92
* Alta Fiabilidade
O transistor Philips BLY569 é um componente eletrônico de alta performance, projetado para aplicações de rádio frequência (RF). Este transistor NPN de silício oferece uma combinação excepcional de potência, corrente e tensão, numa embalagem compacta TO-92, tornando-o uma solução ideal para uma variedade de projetos eletrónicos. A sua construção robusta garante alta fiabilidade e desempenho consistente, mesmo em condições de funcionamento desafiadoras.
As suas características principais incluem uma tensão máxima de coletor-emissor (Vceo) de 35V e uma corrente máxima de coletor (Ic) de 3A. Com uma potência dissipada de até 70W, o BLY569 é capaz de lidar com altas demandas de potência em aplicações RF de alta performance. O ganho de corrente (HFE) de 100 garante uma amplificação eficaz do sinal. A sua frequência de transição de 100MHz torna-o adequado para aplicações de alta frequência.
Especificações Técnicas:
* Tipo: Transistor RF NPN
* Tensão VCE: 35V
* Tensão VCB: 65V
* Corrente IC: 3A
* Potência: 70W
* Ganho HFE: 100
* Frequência: 100MHz
* Caixa: TO-92
* Embalagem: Bulk
* Quantidade por Embalagem: 1
* Marca: Philips
* MPN: BLY569
Este transistor é uma escolha confiável para projetos que exigem alta performance e fiabilidade. A sua facilidade de uso e compatibilidade com diferentes circuitos tornam-no uma opção versátil para uma vasta gama de aplicações em engenharia eletrónica.
As suas características principais incluem uma tensão máxima de coletor-emissor (Vceo) de 35V e uma corrente máxima de coletor (Ic) de 3A. Com uma potência dissipada de até 70W, o BLY569 é capaz de lidar com altas demandas de potência em aplicações RF de alta performance. O ganho de corrente (HFE) de 100 garante uma amplificação eficaz do sinal. A sua frequência de transição de 100MHz torna-o adequado para aplicações de alta frequência.
Especificações Técnicas:
* Tipo: Transistor RF NPN
* Tensão VCE: 35V
* Tensão VCB: 65V
* Corrente IC: 3A
* Potência: 70W
* Ganho HFE: 100
* Frequência: 100MHz
* Caixa: TO-92
* Embalagem: Bulk
* Quantidade por Embalagem: 1
* Marca: Philips
* MPN: BLY569
Este transistor é uma escolha confiável para projetos que exigem alta performance e fiabilidade. A sua facilidade de uso e compatibilidade com diferentes circuitos tornam-no uma opção versátil para uma vasta gama de aplicações em engenharia eletrónica.
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