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Transistor RF PNP de silício da Philips, ideal para aplicações de rádio frequência. Oferece alta performance e confiabilidade em circuitos eletrónicos.
* Transistor RF PNP
* Vceo: 35V
* Ic: 350mA
* Potência: 250mW
* Caixa: TO-92
* Transistor RF PNP
* Vceo: 35V
* Ic: 350mA
* Potência: 250mW
* Caixa: TO-92
O transistor RF PNP BF509 da Philips é um componente semi-condutor de silício projetado para aplicações em circuitos de rádio frequência. Este transistor destaca-se pela sua alta performance e confiabilidade, características essenciais em aplicações onde é necessária uma precisão e estabilidade elevadas na transmissão e recepção de sinais. A sua construção robusta garante um desempenho estável mesmo em condições de trabalho exigentes.
As suas principais características incluem uma tensão de coletor-emissor (Vceo) de 35V e uma corrente de coletor (Ic) de 350mA. A sua potência de dissipação (250mW) permite o uso em circuitos com moderada demanda de potência. O transistor é apresentado numa caixa TO-92, um tipo de encapsulamento popular devido à sua versatilidade e facilidade de montagem em placas de circuito impresso. O BF509 é também caracterizado pelo seu ganho de corrente (HFE) de 70 e a sua frequência de transição de 750MHz, garantindo um desempenho eficiente em frequências elevadas.
Devido à sua versatilidade, o transistor BF509 encontra aplicações em diversos tipos de circuitos eletrónicos, incluindo amplificadores, osciladores, misturadores e outros componentes de sistemas de rádio frequência. A sua utilização requer conhecimentos específicos em eletrónica e desenho de circuitos. É importante respeitar as especificações técnicas para garantir a correta operação do transistor e a segurança do circuito.
Em resumo, este transistor RF PNP BF509 da Philips oferece uma solução compacta, eficiente e de alta qualidade para aplicações de rádio frequência. A sua combinação de características técnicas superiores, robustez e facilidade de montagem tornam-no numa escolha ideal para projetos eletrónicos profissionais e amadores.
As suas principais características incluem uma tensão de coletor-emissor (Vceo) de 35V e uma corrente de coletor (Ic) de 350mA. A sua potência de dissipação (250mW) permite o uso em circuitos com moderada demanda de potência. O transistor é apresentado numa caixa TO-92, um tipo de encapsulamento popular devido à sua versatilidade e facilidade de montagem em placas de circuito impresso. O BF509 é também caracterizado pelo seu ganho de corrente (HFE) de 70 e a sua frequência de transição de 750MHz, garantindo um desempenho eficiente em frequências elevadas.
Devido à sua versatilidade, o transistor BF509 encontra aplicações em diversos tipos de circuitos eletrónicos, incluindo amplificadores, osciladores, misturadores e outros componentes de sistemas de rádio frequência. A sua utilização requer conhecimentos específicos em eletrónica e desenho de circuitos. É importante respeitar as especificações técnicas para garantir a correta operação do transistor e a segurança do circuito.
Em resumo, este transistor RF PNP BF509 da Philips oferece uma solução compacta, eficiente e de alta qualidade para aplicações de rádio frequência. A sua combinação de características técnicas superiores, robustez e facilidade de montagem tornam-no numa escolha ideal para projetos eletrónicos profissionais e amadores.
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