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Circuito Integrado HQ SRAM 128Kx8b SMD 70Ns LLP - KM681000ALP-7L
eParts
995-KM681000ALP-7L
Disponível
5,40 €
Com IVA
Memória SRAM 128Kx8b SMD da HQ, com tensão de alimentação única de 5.0V e saída de três estados compatível com TTL. Organização 128Kx8, tecnologia CMOS de 0.6µm. Suporta baixa tensão de retenção de dados para operação com bateria de backup e baixa corrente de retenção de dados.
* Tensão de Alimentação: 5.0V
* Organização: 128Kx8
* Tecnologia: CMOS 0.6µm
* Saída: Três estados, compatível com TTL
* Baixo consumo em modo de retenção de dados
* Tensão de Alimentação: 5.0V
* Organização: 128Kx8
* Tecnologia: CMOS 0.6µm
* Saída: Três estados, compatível com TTL
* Baixo consumo em modo de retenção de dados
Este circuito integrado SRAM (Static Random Access Memory) da HQ, modelo KM681000ALP-7L, oferece um desempenho confiável e eficiente para diversas aplicações em sistemas eletrónicos. Com uma organização de memória de 128Kx8 bits, este chip proporciona uma capacidade significativa para armazenamento de dados de forma estática, ou seja, sem necessidade de atualização constante. Sua tecnologia CMOS de 0.6µm garante baixo consumo de energia, tornando-o ideal para dispositivos portáteis ou aplicações onde a eficiência energética é crucial.
A tensão de alimentação é única e simples, de 5.0V, simplificando o design do circuito e reduzindo a complexidade da integração. A saída de três estados garante compatibilidade com interfaces TTL (Transistor-Transistor Logic), uma das interfaces digitais mais comuns e amplamente utilizadas em sistemas eletrónicos. Esta característica permite uma fácil integração com uma ampla gama de outros componentes e periféricos.
Uma característica notável deste chip é o suporte a baixa tensão de retenção de dados para operação com bateria de backup. Isto significa que, mesmo com a ausência de alimentação principal, os dados armazenados na memória são mantidos, permitindo a recuperação de informações após interrupções de energia. Adicionalmente, a baixa corrente de retenção de dados contribui ainda mais para a eficiência energética do dispositivo, maximizando a duração da bateria e minimizando o consumo total de energia.
Em resumo, o circuito integrado SRAM HQ KM681000ALP-7L combina alta capacidade de armazenamento, baixo consumo de energia, compatibilidade com interfaces comuns e funcionalidades avançadas de retenção de dados, tornando-o uma solução eficiente e versátil para uma vasta gama de aplicações em hardware. Sua simplicidade de integração e desempenho confiável o tornam uma escolha ideal para projetos de sistemas eletrónicos que exigem alta performance e eficiência energética.
A tensão de alimentação é única e simples, de 5.0V, simplificando o design do circuito e reduzindo a complexidade da integração. A saída de três estados garante compatibilidade com interfaces TTL (Transistor-Transistor Logic), uma das interfaces digitais mais comuns e amplamente utilizadas em sistemas eletrónicos. Esta característica permite uma fácil integração com uma ampla gama de outros componentes e periféricos.
Uma característica notável deste chip é o suporte a baixa tensão de retenção de dados para operação com bateria de backup. Isto significa que, mesmo com a ausência de alimentação principal, os dados armazenados na memória são mantidos, permitindo a recuperação de informações após interrupções de energia. Adicionalmente, a baixa corrente de retenção de dados contribui ainda mais para a eficiência energética do dispositivo, maximizando a duração da bateria e minimizando o consumo total de energia.
Em resumo, o circuito integrado SRAM HQ KM681000ALP-7L combina alta capacidade de armazenamento, baixo consumo de energia, compatibilidade com interfaces comuns e funcionalidades avançadas de retenção de dados, tornando-o uma solução eficiente e versátil para uma vasta gama de aplicações em hardware. Sua simplicidade de integração e desempenho confiável o tornam uma escolha ideal para projetos de sistemas eletrónicos que exigem alta performance e eficiência energética.
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