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Transistor RF PNP de silício Micro-Electronics, ideal para amplificadores. Oferece alta potência e desempenho em frequências elevadas. Vceo 40V, Ic 600mA, Potência 350mW, Caixa TO-92.
* Tipo: PNP
* Vceo: 40V
* Ic: 600mA
* Potência: 350mW
* Caixa: TO-92
* Tipo: PNP
* Vceo: 40V
* Ic: 600mA
* Potência: 350mW
* Caixa: TO-92
Este transistor RF PNP da Micro-Electronics é um componente versátil e robusto, ideal para uma variedade de aplicações em amplificadores e outros circuitos de alta frequência. Sua construção em silício garante alta confiabilidade e desempenho consistente. Com uma tensão de ruptura colector-emissor (Vceo) de 40V e uma corrente contínua de colector (Ic) de 600mA, este transistor consegue lidar com sinais de alta potência sem comprometer a sua integridade.
A sua potência de 350mW permite que seja utilizado em aplicações que exigem uma gestão eficiente da energia. A caixa TO-92 proporciona uma fácil integração em diversas placas de circuito impresso. Este transistor caracteriza-se por um ganho HFE de 30 e uma frequência de 150MHz, garantindo um excelente desempenho em aplicações de RF. A embalagem em Bulk permite a aquisição eficiente de grandes quantidades para projectos em larga escala.
Em resumo, o transistor 2N4402 da Micro-Electronics é uma escolha ideal para aplicações que exigem um componente RF PNP de alta qualidade, confiável e eficiente.
A sua potência de 350mW permite que seja utilizado em aplicações que exigem uma gestão eficiente da energia. A caixa TO-92 proporciona uma fácil integração em diversas placas de circuito impresso. Este transistor caracteriza-se por um ganho HFE de 30 e uma frequência de 150MHz, garantindo um excelente desempenho em aplicações de RF. A embalagem em Bulk permite a aquisição eficiente de grandes quantidades para projectos em larga escala.
Em resumo, o transistor 2N4402 da Micro-Electronics é uma escolha ideal para aplicações que exigem um componente RF PNP de alta qualidade, confiável e eficiente.
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