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Transistor RF PNP de silício, ideal para amplificadores. Oferece uma tensão Vceo de 25V e uma corrente Ic de 200mA. Potência de 350mW e caixa TO-92.
* Transistor RF PNP em silício
* Vceo: 25V
* Ic: 200mA
* Potência: 350mW
* Caixa TO-92
* Transistor RF PNP em silício
* Vceo: 25V
* Ic: 200mA
* Potência: 350mW
* Caixa TO-92
Este transistor RF PNP de silício é uma solução versátil para uma variedade de aplicações em amplificadores e circuitos de RF. Com uma tensão máxima de coletor-emissor (Vceo) de 25V e uma corrente contínua máxima de coletor (Ic) de 200mA, este transistor oferece uma performance robusta e confiável. A sua potência máxima de dissipação de 350mW permite uma ampla gama de aplicações, enquanto a sua caixa TO-92 facilita a sua integração em circuitos impressos. O transistor apresenta um ganho de corrente (HFE) de 120 e uma frequência de transição de 250MHz, o que o torna adequado para aplicações de alta frequência. A sua construção robusta e de alta qualidade garante um desempenho confiável e duradouro, tornando-o uma escolha ideal para projetos electrónicos que exigem precisão e confiabilidade. A embalagem em bulk de 25 unidades oferece uma boa relação custo-benefício para projetos em larga escala.
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