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Transistor RF PNP de silício da Micro-Electronics, com tensão máxima de colector-emissor (Vceo) de 40V e corrente de colector (Ic) de 200mA. Ideal para amplificadores de baixa frequência e comutação. Possui potência de 360mW e vem numa caixa TO-206.
* Alta tensão de funcionamento (40V)
* Corrente de colector de 200mA
* Potência de 360mW
* Caixa TO-206
* Ideal para amplificadores de baixa frequência e comutação
* Alta tensão de funcionamento (40V)
* Corrente de colector de 200mA
* Potência de 360mW
* Caixa TO-206
* Ideal para amplificadores de baixa frequência e comutação
O transistor BCY70 da Micro-Electronics é um transistor de silício PNP projetado para aplicações de RF que exigem alta tensão e corrente moderada. Com uma tensão máxima de colector-emissor (Vceo) de 40V e uma corrente de colector (Ic) de 200mA, este transistor é uma escolha ideal para amplificadores de baixa frequência e aplicações de comutação. A sua potência nominal de 360mW permite uma operação confiável em diversas condições. A sua encapsulação em caixa TO-206 facilita a montagem em circuitos compactos. O seu ganho HFE de 50 garante uma amplificação estável do sinal, e a sua frequência de transição de 250MHz indica a sua capacidade de operação em aplicações de alta frequência. Este transistor é uma solução robusta e eficiente para aplicações que exigem desempenho em altas frequências e tensões significativas.
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