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Transistor RF NPN de silício Micro-Electronics BF338, com tensão máxima de coletor-emissor (Vceo) de 225V e corrente de coletor (Ic) de 100mA. Potência de 3W e caixa TO-39. Ideal para aplicações de vídeo. Fornecido em embalagens de 100 unidades.
* Tipo: Transistor RF NPN
* Vceo: 225V
* Ic: 100mA
* Potência: 3W
* Caixa: TO-39
* Tipo: Transistor RF NPN
* Vceo: 225V
* Ic: 100mA
* Potência: 3W
* Caixa: TO-39
O transistor BF338 da Micro-Electronics é um transistor de radiofrequência (RF) NPN de silício, projetado para aplicações que exigem alta tensão e corrente moderada. Com uma tensão máxima de coletor-emissor (Vceo) de 225V e uma corrente de coletor (Ic) de 100mA, este transistor é robusto e capaz de lidar com sinais de alta potência. A sua potência de 3W e a sua caixa TO-39 facilitam a sua integração em diversos circuitos.
Este componente é particularmente adequado para aplicações de vídeo, onde a sua capacidade de lidar com sinais de alta frequência é crucial. O ganho de corrente (HFE) típico de 20 e a frequência de transição de 130MHz garantem um desempenho eficiente em aplicações de alta velocidade. O transistor é fornecido em embalagens de 100 unidades, ideal para projetos em larga escala.
Para uma compreensão completa das suas características e especificações, recomenda-se a consulta da folha de dados do fabricante. Contacte-nos para esclarecimentos adicionais.
Este componente é particularmente adequado para aplicações de vídeo, onde a sua capacidade de lidar com sinais de alta frequência é crucial. O ganho de corrente (HFE) típico de 20 e a frequência de transição de 130MHz garantem um desempenho eficiente em aplicações de alta velocidade. O transistor é fornecido em embalagens de 100 unidades, ideal para projetos em larga escala.
Para uma compreensão completa das suas características e especificações, recomenda-se a consulta da folha de dados do fabricante. Contacte-nos para esclarecimentos adicionais.
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