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Transistor RF NPN Micro-Electronics BF160 - 12V, 50mA, TO-106
eParts
995-BF160
Disponível
0,28 €
Com IVA
Transistor RF NPN de silício Micro-Electronics BF160, com tensão Vceo de 12V, corrente Ic de 50mA e potência de 200mW. Ideal para aplicações de alta frequência.
* Transistor RF NPN em silício
* Vceo: 12V
* Ic: 50mA
* Potência: 200mW
* Caixa: TO-106
* Transistor RF NPN em silício
* Vceo: 12V
* Ic: 50mA
* Potência: 200mW
* Caixa: TO-106
O transistor BF160 da Micro-Electronics é um componente de silício NPN projetado para aplicações de radiofrequência (RF). Este transistor destaca-se pela sua capacidade de operar com uma tensão de coletor-emissor (Vceo) de 12V e uma corrente de coletor (Ic) de 50mA, oferecendo uma potência de saída de 200mW. O seu ganho de corrente (HFE) de 20 garante amplificação eficiente de sinal. A sua alta frequência de funcionamento de 400MHz o torna adequado para aplicações de alta velocidade e sinalização de dados.
Com uma caixa TO-106, este transistor é fácil de integrar em diversos projetos. A sua embalagem a granel permite a aquisição de quantidades significativas para produção em massa. A versatilidade e o desempenho confiável do BF160 tornam-no um componente essencial para uma variedade de sistemas RF, desde transceptores de comunicação a equipamentos de teste. Para quantidades especiais ou outras opções de encapsulamento, contacte-nos.
Com uma caixa TO-106, este transistor é fácil de integrar em diversos projetos. A sua embalagem a granel permite a aquisição de quantidades significativas para produção em massa. A versatilidade e o desempenho confiável do BF160 tornam-no um componente essencial para uma variedade de sistemas RF, desde transceptores de comunicação a equipamentos de teste. Para quantidades especiais ou outras opções de encapsulamento, contacte-nos.
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