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Transistor bipolar NPN de silício Micro-Electronics BCY58, ideal para amplificadores de baixo ruído. Oferece tensão máxima de coletor-emissor de 32V e corrente contínua de 200mA, com potência de 600mW e encapsulamento TO-206.
* Tipo: NPN
* Vceo: 32V
* Ic: 200mA
* Potência: 600mW
* Caixa: TO-206
* Tipo: NPN
* Vceo: 32V
* Ic: 200mA
* Potência: 600mW
* Caixa: TO-206
O transistor Micro-Electronics BCY58 é um transistor bipolar de junção NPN de silício, projetado para aplicações que exigem baixo ruído e alta confiabilidade. Com uma tensão máxima de coletor-emissor (Vceo) de 32V e uma corrente contínua de coletor (Ic) de 200mA, este transistor é adequado para uma variedade de circuitos amplificadores. Sua potência máxima de dissipação é de 600mW, proporcionando margem de segurança em diversas aplicações. O encapsulamento TO-206 facilita a integração em diferentes placas de circuito. O ganho de corrente (HFE) de 125 e a frequência de transição de 125MHz garantem um desempenho eficiente em circuitos de alta frequência. A sua utilização em amplificadores de baixo ruído destaca-se pelas suas características de baixa interferência e elevada fidelidade. Cada embalagem contém 100 unidades.
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